Cienkowarstwowe tranzystorowe panele LCD są obecnie głównym nurtem technologii wyświetlaczy planarnych, a cele napylania metalicznego są jednym z najważniejszych materiałów w procesie produkcyjnym. Obecnie największe zapotrzebowanie na cele napylania metalowego stosowane na krajowej linii produkcyjnej paneli LCD głównego nurtu dla czterech rodzajów celów, takich jak aluminium, miedź, molibden i stop molibdenu i niobu. Następnie redaktor firmy Beijing Rich przedstawia zapotrzebowanie rynku na cele napylania metalicznego w branży wyświetlaczy płaskich.
,Aluminiumcele:
Obecnie cele aluminiowe dla krajowego przemysłu LCD są zdominowane głównie przez przedsiębiorstwa finansowane przez Japonię.Jeśli chodzi o firmy zagraniczne: Aifaco Electronic Materials Co., Ltd. posiada około 50% udziału w rynku krajowym. Po drugie, część udziału w rynku ma również Sumitomo Chemical.W zakresie rynku krajowego: firma Jiangfeng Electronics zaczęła interweniować w obszarze celów aluminiowych około 2013 r. i otrzymała dostawy w dużych ilościach i jest wiodącym przedsiębiorstwem w zakresie krajowych celów aluminiowych. Ponadto Nanshan Aluminium, Xinjiang Zhonghe i inne przedsiębiorstwa również mają zdolność produkcyjną produkcja aluminium o wysokiej czystości.
二, Cele miedziane
Z trendu rozwojowego procesu rozpylania proporcja zapotrzebowania na cele miedziane stopniowo rośnie, wraz z faktem, że skala rynku krajowego przemysłu LCD w ostatnich latach rozszerza się, w związku z tym zapotrzebowanie na cele miedziane w płaskich panelach branża wyświetlaczy będzie nadal wykazywać tendencję wzrostową:
三, Szerokopasmowe cele molibdenowe
Jeśli chodzi o przedsiębiorstwa zagraniczne: przedsiębiorstwa zagraniczne takie jak Panshi i Shitaike w zasadzie monopolizują krajowy rynek docelowy wielkoformatowego molibdenu.Kraj: Do końca 2018 roku lokalizacja wielkoformatowych tarcz molibdenowych znalazła praktyczne zastosowanie w produkcji paneli ciekłokrystalicznych.
Tarcze ze stopu molibdenu i kolumbu-10
Stop molibdenu-niobu-10 jest ważnym alternatywnym materiałem na warstwę bariery dyfuzyjnej tranzystorów cienkowarstwowych, a perspektywy jego popytu na rynku są lepsze. Jednakże ze względu na dużą różnicę we współczynnikach wzajemnej dyfuzji atomów molibdenu i atomów niobu, pozycja cząstek niobu po spiekaniu w wysokiej temperaturze spowoduje powstanie dużych dziur, a gęstość spiekania będzie trudna do zwiększenia. Ponadto pełna dyfuzja atomów molibdenu i atomów niobu spowoduje silne wzmocnienie roztworu stałego, co spowoduje pogorszenie ich właściwości kalandrowania.Jednakże Xi'an Ruiflair Tungsten Molybdenum Co., Ltd., spółka zależna Western Metal Materials Co., Ltd., współpracuje z AIFACO Electronic Materials (Suzhou) Co., Ltd. Po wielu testach zawartość tlenu poniżej 1000 ×101 został pomyślnie wdrożony w 2017 r., a gęstość osiągnęła 99,3% półproduktu ze stopu Mo-Nb.
Czas publikacji: 18 kwietnia 2022 r